مباشر

الطلبات الأخيرة

    شريط الأخبار
    أخبار بوتين والكرملين
    جائزة خالد الخطيب الدولية
    البرامج
    ترددات القناة
    عيد النصر على النازية
    دليلك إلى روسيا
    وقائع لا يطويها الزمن
    العمل مع RT
    أفلام وثائقية
    كلاشينكوفا
    تطبيقات القناة
    اختراعات روسية
    المكتبة الروسية
    دروس اللغة الروسية
    25 خبر
    • احتجاجات فرنسا
    • المثلث الملتهب بين صنعاء وعدن والرياض
    • روسيا وأوكرانيا.. معركة الإمداد وحرب المدن
    • احتجاجات فرنسا

      احتجاجات فرنسا

    • المثلث الملتهب بين صنعاء وعدن والرياض

      المثلث الملتهب بين صنعاء وعدن والرياض

    • روسيا وأوكرانيا.. معركة الإمداد وحرب المدن

      روسيا وأوكرانيا.. معركة الإمداد وحرب المدن

    • مصر على الجبهة السعودية في مواجهة الحوثيين

      مصر على الجبهة السعودية في مواجهة الحوثيين

    • اتفاق بوتين ترامب لإنقاذ الأسواق

      اتفاق بوتين ترامب لإنقاذ الأسواق

    العلوم والتكنولوجيا
    تاريخ النشر: 02.09.2020 | 06:52 GMT

    روسيا.. ابتكار مادة فعالة للبطاريات الشمسية

    ابتكر علماء جامعة سانت بطرسبورغ للتقنيات الكهربائية، تكنولوجيا لإنتاج مادة للخلايا الكهروضوئية، ترفع كفاءة البطاريات الشمسية.

    روسيا.. ابتكار مادة فعالة للبطاريات الشمسية
    صورة تعبيرية / Kirill Braga / Sputnik


    وقال مصدر في المكتب الصحفي للجامعة قي حديث لوكالة نوفوستي الروسية للأنباء، أصبحت الطاقة الشمسية أحد مصادر الطاقة البديلة الواعدة. وقد اقتربت كفاءة الخلايا الشمسية المستخدمة حاليا من حدودها النظرية، لذلك جميع الجهود التي تبذل في الوقت الحاضر تهدف إلى ابتكار مواد وطرق أكثر كفاءة وأقل تكلفة.

    ويقول البروفيسورألكسندر غودوفسكيخ، المشرف على الدراسة، "تسمح التكنولوجيا المبتكرة، برفع كفاءة الخلايا الشمسية إلى مستوى قياسي. وهذه التكنولوجيا تعتمد على استخدام ركائز سيليكونية تم تشكيلها بدرجات حرارة منخفضة نسبيا".

    وأضاف موضحا، يكمن اختلاف هذه الطريقة عن الطرق السابقة، في أن نمو طبقة النواة يتم بطريقة ترسيب الطبقة الذرية للبلازما الكيميائية في درجات حرارة منخفضة نسبيًا ، يتبعه النمو الفوقي لاحقا استنادًا إلى هياكل بحجم A3B5 الكمي باستخدام طريقة MOCVD hydride epitaxy.

    ويضيف البروفيسور غودوفسكيخ، الطرق الحالية لإنشاء الخلايا الضوئية تتطلب معالجة الركائز السليكونية بدرجة حرارة 900-1000 درجة مئوية في بداية مرحلة النمو، للتخلص من الأكسيد وإعادة بناء السطح، ما يؤدي لاحقا إلى تقليص مدة خدمتها. أما في الطريقة الجديدة، فنقترح تخفيض درجة حرارة النمو الفوقي إلى 600-750 درجة مئوية. ومن ثم  تكوين هياكل GaP / Si مع طبقة نواة GaP بواسطة ترسيب الطبقة الذرية للبلازما الكيميائية في درجة حرارة 380 درجة مئوية.

    وقد نشرت نتائج الدراسة كاملة في مجلة Physica Status Solidi (a) – applications and materials science

    المصدر: نوفوستي

    التعليقات